Capitolul 1: Dispozitive pe carbură de siliciu

1.1.Carbura de siliciu.Structura cristalină și proprietăți generale de material

1.2. Dispozitive semiconductoare pe SiC pentru aplicații din domeniul senzorilor

Capitolul 2: Tehnologia de fabricație a dispozitivelor pe SiC. Caracterizări electrice

generale

2.1. Configurații ale dispozitivelor planare pe SiC -terminații de camp

2.2. Proiectarea măștilor fotolitografice

2.3. Prezentarea etapelor tehnologice comune în realizarea dispozitivelor pe sic –flux

tehnologic comun

2.4. Dioda Schottky. Flux tehnologic –continuare

2.5. Capacitorul MOS. Flux tehnologic –continuare

2.6. Caracterizări electrice generale ale dispozitivelor realizate pe SiC

Capitolul 3: Interfața SiO2/SiC

3.1 Privire de ansamblu asupra cresterii oxidului pe SiC si a diferitelor tratamente

termice post-oxidare existente

3.2. Metode pentru determinarea densităţii stărilor de la interfața SiO2/SiC

3.3. Determinarea experimentală a densităţii stărilor de la interfaţa SiO2/SiC

Capitolul 4: Caracterizare electrică a defectelor în oxidul de poartă pentru structurilor

MOS

4.1. Tehnici de caracterizare a oxidului de poartă

4.2. Teste de stres în tensiune ale capacitorului MOS pentru analiza străpungerii

oxidului de poartă

4.3. Teste de stres în temperatură și tensiune

4.4 Teste de stres la câmpuri electrice de poartă intense

Capitolul 5: Senzori pe SiC pentru aplicaţii în medii ostile

5.1 Privire de ansamblu asupra senzorilor pe SiC existenți în literature

5.2. Dioda Schottky pe SiC pentru senzori de temperature

5.3. Capacitorul MOS pe SiC pentru senzori de hydrogen

Concluzii

Referinte